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  • Phenom XL G3企業(yè)研發(fā)質(zhì)控用飛納臺式掃描電鏡
    Phenom XL G3企業(yè)研發(fā)質(zhì)控用飛納臺式掃描電鏡

    Phenom XL G3 是飛納推出的大倉室臺式掃描電鏡,可用于企業(yè)研發(fā)質(zhì)控場景中的材料形貌、缺陷和失效樣品觀察。 Phenom XL G3 平均成像時間約 40 秒,可對最大 100 x 100 mm 的樣品進行分析,適合較大尺寸樣品或多樣品檢測場景。設(shè)備采用 CeB6 燈絲,電子光學放大倍數(shù)可達 200,000 X,分辨率優(yōu)于 8 nm,適用于日常質(zhì)檢、研發(fā)分析、失效分析和樣品測試等應(yīng)用。

    更新時間:2026-08-11型號:Phenom XL G3瀏覽量:391
  • Phenom ProX G7高分子材料微區(qū)成分分析用飛納臺式電鏡
    Phenom ProX G7高分子材料微區(qū)成分分析用飛納臺式電鏡

    Phenom ProX G7 是飛納推出的臺式掃描電鏡能譜一體機,可用于高分子材料微區(qū)成分分析,幫助觀察填料、顆粒和缺陷區(qū)域。 Phenom ProX G7 電子光學放大倍數(shù)可達 350,000 X,分辨率優(yōu)于 6 nm,采用 CeB6 燈絲,并集成掃描電鏡成像與能譜分析能力,適合形貌觀察、微區(qū)元素分析和材料研發(fā)檢測。

    更新時間:2026-08-06型號:Phenom ProX G7瀏覽量:504
  • Phenom XL G3第三方檢測實驗室用飛納臺式掃描電鏡
    Phenom XL G3第三方檢測實驗室用飛納臺式掃描電鏡

    Phenom XL G3 是飛納推出的大倉室臺式掃描電鏡,可用于第三方檢測實驗室的多類型樣品形貌觀察與分析。 Phenom XL G3 平均成像時間約 40 秒,可對最大 100 x 100 mm 的樣品進行分析,適合較大尺寸樣品或多樣品檢測場景。設(shè)備采用 CeB6 燈絲,電子光學放大倍數(shù)可達 200,000 X,分辨率優(yōu)于 8 nm,適用于日常質(zhì)檢、研發(fā)分析、失效分析和樣品測試等應(yīng)用。

    更新時間:2026-08-06型號:Phenom XL G3瀏覽量:283
  • Phenom Pharos G2半導體表面缺陷觀察用飛納場發(fā)射電鏡
    Phenom Pharos G2半導體表面缺陷觀察用飛納場發(fā)射電鏡

    Phenom Pharos G2 是飛納推出的臺式場發(fā)射掃描電鏡,可用于半導體表面缺陷觀察,幫助分析器件表面、封裝材料和微小缺陷形貌。 Phenom Pharos G2 采用肖特基熱場發(fā)射電子槍,電子光學放大倍數(shù)可達 2,000,000 X,分辨率優(yōu)于 1.5 nm,適合對高分辨形貌、精細結(jié)構(gòu)和微納尺度特征有要求的研發(fā)與檢測場景。

    更新時間:2026-08-05型號:Phenom Pharos G2瀏覽量:299
  • Phenom XL G3巖石礦物顆粒分析用飛納掃描電鏡
    Phenom XL G3巖石礦物顆粒分析用飛納掃描電鏡

    Phenom XL G3 是飛納推出的大倉室臺式掃描電鏡,可用于巖石礦物顆粒分析,幫助觀察礦物顆粒形貌、結(jié)構(gòu)和局部缺陷。 Phenom XL G3 平均成像時間約 40 秒,可對最大 100 x 100 mm 的樣品進行分析,適合較大尺寸樣品或多樣品檢測場景。設(shè)備采用 CeB6 燈絲,電子光學放大倍數(shù)可達 200,000 X,分辨率優(yōu)于 8 nm,適用于日常質(zhì)檢、研發(fā)分析、失效分析和樣品測試等應(yīng)用

    更新時間:2026-08-05型號:Phenom XL G3瀏覽量:257
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