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表面缺陷和截面形貌。 Phenom XL G3 平均成像時間約 40 秒，可對最大 100 x 100 mm 的樣品進行分析，適合較大尺寸樣品或多樣品檢測場景。設備采用 CeB6 燈絲，電子光學放大倍數可達 200,000 X，分辨率優于 8 nm，適用于日常質檢、研發分析、失效分析和樣品測試等應用。

Phenom Pharos G2 是飛納推出的臺式場發射掃描電鏡，可用于光伏材料缺陷分析，幫助觀察電池片、薄膜和相關材料的微觀缺陷。 Phenom Pharos G2 采用肖特基熱場發射電子槍，電子光學放大倍數可達 2,000,000 X，分辨率優于 1.5 nm，適合對高分辨形貌、精細結構和微納尺度特征有要求的研發與檢測場景。

Phenom XL G3 是飛納推出的大倉室臺式掃描電鏡，可用于半導體失效分析場景中的封裝、焊點、線路板和器件表面形貌觀察。 Phenom XL G3 平均成像時間約 40 秒，可對最大 100 x 100 mm 的樣品進行分析，適合較大尺寸樣品或多樣品檢測場景。設備采用 CeB6 燈絲，電子光學放大倍數可達 200,000 X，分辨率優于 8 nm，適用于日常質檢、研發分析、失效分析和樣品測試等

Phenom ProX G7 是飛納推出的臺式掃描電鏡能譜一體機，可用于建筑材料微區元素分析，幫助觀察水泥、混凝土、礦物顆粒等樣品。 Phenom ProX G7 電子光學放大倍數可達 350,000 X，分辨率優于 6 nm，采用 CeB6 燈絲，并集成掃描電鏡成像與能譜分析能力，適合形貌觀察、微區元素分析和材料研發檢測。

Phenom Pharos G2 是飛納推出的臺式場發射掃描電鏡，可用于鋰電材料微觀結構觀察，幫助分析正負極材料、導電劑、隔膜等樣品形貌。 Phenom Pharos G2 采用肖特基熱場發射電子槍，電子光學放大倍數可達 2,000,000 X，分辨率優于 1.5 nm，適合對高分辨形貌、精細結構和微納尺度特征有要求的研發與檢測場景